| dc.creator |
YILMAZ, Gökhan |
|
| dc.date |
2017-03-29T00:00:00Z |
|
| dc.date.accessioned |
2019-04-09T07:10:04Z |
|
| dc.date.available |
2019-04-09T07:10:04Z |
|
| dc.identifier |
http://dergipark.gov.tr/makufebed/issue/19431/295962 |
|
| dc.identifier |
|
|
| dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/11672/1698 |
|
| dc.description |
Hidrojenlendirilmiş mikrokristal silisyum (µc-Si:H)ince film malzemeler sahip oldukları optoelektronik özellikleri, üretimsürecinin kolaylığı ve ucuzluğu açısından tek kristal silisyum (c-Si) veHidrojenlendirilmiş amorf silisyuma (a-Si:H) göre daha çok tercih edilen birmalzeme grubudur. Özellikle malzeme üretim teknolojilerinin gelişmesi ile µc-Si:Hince film malzemelerin kullanım alanları da gelişmiş ve gelişmektedir. Diyot,Sensör, TFT, Fotovoltaik ve Heteroeklem uygulamarı bu gelişmeye örneklerdir. Bugelişime bağlı olarak yüksek elektronik kalitede (State of Art) malzemelerinüretilmesi ve uygulama alanları konusunda araştırmacıların dikkatiniçekmektedir. Ancak µc-Si:H ince film malzemeler üretim sonrası elektronikolarak kararsızlık (metastabilite) problemi bulunmaktadır. Araştırmacılarmetastabilite probleminin 1983 yılında belirlenmesinden beri hala çözümü içinçalışıyorlar. Maalesef µc-Si:H ince film malzemelerin metastabilite problemiiçin nihai bir çözümü günümüze kadar bulunamamıştır. Bu nedenle bu çalışmada µc-Si:Hince film malzemenin üretimi, kristalografik yapısı, elektronik yapısı,optiksel ve elektriksel özellikleri detaylı bir literatür araştırması vebulguları ile metastabilite problemi bakış açısından incelenmiştir. |
|
| dc.description |
HydrogenatedMicrocrystalline Silicon thin film materials (µc-Si:H) are much more preferablematerial group than Single Crystalline Silicon (c-Si) and HydrogenatedAmorphous Silicon (a-Si:H) due to their optoelectronic specification, easy andcheap production techniques. New application areas of µc-Si:H have beenimproved with concurrently production technology improvement. Diode, Sensors,TFT, Photovoltaic and Heterojunction applications are examples of theseimprovements. Depending on these production improvement, high quality µc-Si:Hcan be produced. Therefore, these improvements draw attention of scientistsregarding production of high quality electrical materials and their applicationareas. However; µc-Si:H materials have electronic metastability problems afterproduction. Researchers have been working on solving this metastability problemof µc-Si:H for since 1983. Unfortunately, ultimate solution of metastabilityproblem for µc-Si:H material has not been revealed until now. Thus, in thisstudy, µc-Si:H thin films production, crystallographic structure, electronicstructure, optical and electrical specification of µc-Si:H thin filmchronologically have been analyzed through a detailed literature review andfindings have been investigated through the perspective of metastabilityproblem. |
|
| dc.format |
application/pdf |
|
| dc.publisher |
Mehmet Akif Ersoy University |
|
| dc.publisher |
Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi |
|
| dc.relation |
http://dergipark.gov.tr/download/article-file/289287 |
|
| dc.source |
Volume: 8, Issue: 1
46-55 |
|
| dc.source |
1309-2243 |
|
| dc.subject |
µc-Si:H,a-Si:H,VHF-PECVD,Karanlık Öziletkenlik,Foto Öziletkenlik |
|
| dc.subject |
µc-Si:H,a-Si:H,VHF-PECVD,Dark Conductivity,Photo Conductivity,Metastability |
|
| dc.title |
µc-Si:H İnce Film Malzemeler ve Metastabilite Etkileri |
|
| dc.title |
µc-Si: H Thin Film Materials and Metastability Effects |
|
| dc.type |
info:eu-repo/semantics/article |
|