Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen pbs yarı iletken filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, PbS yarı iletken ince filmleri, kompleks arabulucu olarak kullanılan tri-sodyum sitrat (TSS) miktarı hacim olarak 0,1 ml’den 0,5 ml’ ye kadar değiştirilerek oda sıcaklığında (30 ºC) ve farklı bekleme sürelerinde cam alttabanlar üzerine kimyasal depolama yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin kalınlıkları tartım yöntemi kullanılarak 1020–1270 nm arasında hesaplanmıştır. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen filmlerin kübik yapıda oldukları saptanmıştır. Soğurma spektrumu ölçümlerinden filmlerin doğrudan bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığının 2,48–3,04 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Elde edilen filmlerin kırılma indisleri (n􁈻, 2,14–3,63 arasında değişmiştir. Soğurma, geçirgenlik ve yansıma eğrileri kullanılarak elde edilen PbS filmlerin optik parametreleri, sönüm katsayıları (k), dielektrik sabitinin reel (ε􀬵) ve sanal (ε􀬶) kısımları hesaplanmıştır. Sönüm katsayısı değeri 0,11–0,35 arasında değişirken dielektrik sabitinin reel kısmı 4,58–13,08 arasında ve sanal kısmı ise 0,49–2,58 arasında değişmiştir.